ಪ್ರೇಗ್, ಮಾರ್ಚ್ 20, 2015 - ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್, ಸುಧಾರಿತ ಮೆಮೊರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ ವಿಶ್ವ ಮುಂಚೂಣಿಯಲ್ಲಿದೆ, ಎಂಬೆಡೆಡ್ ಮಲ್ಟಿಮೀಡಿಯಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಮೊಬೈಲ್ ಸಾಧನಗಳಿಗಾಗಿ ಉನ್ನತ-ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ 128GB 3bit NAND ಸಂಗ್ರಹಣೆಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುತ್ತದೆCard (eMMC) 5.0. ಯುನಿವರ್ಸಲ್ ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಸ್ಟೋರೇಜ್ (UFS) 128 ಅಥವಾ EMMC 2.0 ಮಾನದಂಡಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸ್ಮಾರ್ಟ್‌ಫೋನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಫ್ಲ್ಯಾಗ್‌ಶಿಪ್‌ಗಳು ಈಗಾಗಲೇ 5.1GB ಮೆಮೊರಿ ಸಂಗ್ರಹಣೆಗೆ ಬದಲಾಗುತ್ತಿವೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಮಧ್ಯಮ ಶ್ರೇಣಿಯ ಸ್ಮಾರ್ಟ್‌ಫೋನ್‌ಗಳು ಸಹ ಈಗ ತಮ್ಮ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ 128 ಜಿಬಿ ಹೊಸ ಭಂಡಾರಕ್ಕೆ ಧನ್ಯವಾದಗಳು Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. ಈ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ ಹೊಂದಿದೆ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ eMMC 5.0 ಮಾನದಂಡದೊಳಗೆ.
“ನಮ್ಮ NAND-ಆಧಾರಿತ 3bit eMMC 5.0 ಸರಣಿಯ ಉಡಾವಣೆಯೊಂದಿಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಮೊಬೈಲ್ ಸಂಗ್ರಹಣೆಯ ವಿಸ್ತರಣೆಯಲ್ಲಿ ನಾವು ಮುನ್ನಡೆಯಲು ನಿರೀಕ್ಷಿಸುತ್ತೇವೆ. ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ ಉದ್ಯಮದಾದ್ಯಂತ ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ ಗ್ರಾಹಕರ ಬೇಡಿಕೆಯನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ನಾವು ಸುಧಾರಿತ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ನಮ್ಮ ಮೊಬೈಲ್ ಮೆಮೊರಿ ಕೊಡುಗೆಯನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸುತ್ತೇವೆ. ಎಂದು ಡಾ. ಜಂಗ್-ಬೇ ಲೀ, ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನಲ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ ಉತ್ಪನ್ನ ಯೋಜನೆ ಮತ್ತು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ತಂಡದ ಹಿರಿಯ ಉಪಾಧ್ಯಕ್ಷ.
ಅನುಕ್ರಮ ಓದುವಿಕೆ ಸ್ಯಾಮ್‌ಸಂಗ್‌ನಿಂದ ಹೊಸ 128GB eMMC 5.0 ಸಂಗ್ರಹಣೆಯ ಡೇಟಾ ವೇಗದಲ್ಲಿ ಚಲಿಸುತ್ತದೆ 260 MB / s. ಇದು NAND-ಆಧಾರಿತ MLC eMMC 5.1 ಮೆಮೊರಿಯಂತೆಯೇ ಅದೇ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯಾಗಿದೆ. ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ ಓದುವ ಮತ್ತು ಬರೆಯುವ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ je 6000 IOPS, ಕ್ರಮವಾಗಿ 5000 IOPS, ಇದು ಹೈ ಡೆಫಿನಿಷನ್ ವೀಡಿಯೊಗಳು ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿತ ಬಹುಕಾರ್ಯಕ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ವೇಗವಾಗಿದೆ. ಬಾಹ್ಯ ಮೆಮೊರಿ ಕಾರ್ಡ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಈ ಓದುವ ಮತ್ತು ಬರೆಯುವ ವೇಗಗಳು ಅಂದಾಜು 4 ಬಾರಿ a 10 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು.
ಹೊಸ 3bit eMMC 5.0 ಸರಣಿಯು ಸ್ಯಾಮ್‌ಸಂಗ್‌ನ ವ್ಯವಹಾರವನ್ನು ಡೇಟಾ ಕೇಂದ್ರಗಳು, ಸರ್ವರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು PC ಗಳಿಗೆ SSD ಗಳನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣ ಮೊಬೈಲ್ ಶೇಖರಣಾ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗೆ ಪೂರೈಸುವುದರಿಂದ ವಿಸ್ತರಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಪರಿಹಾರಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಮೂಲಕ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ 3-ಬಿಟ್ NAND ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ನೆನಪುಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸುತ್ತದೆ, ಜೊತೆಗೆ ಅದರ ಮೆಮೊರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ವ್ಯವಹಾರದ ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕತೆಯನ್ನು ಬಲಪಡಿಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸುತ್ತದೆ.
//
//
